SK hynix vyvíjí 1Znm 16Gb DDR4 DRAM



SK hynix Inc. announced today that it has developed 1Znm 16Gb (Gigabits) DDR4 (Double Data Rate 4) DRAM. As 16Gb is the industry's largest density for a single chip, the total memory capacity per wafer is also the largest of the existing DRAMs. The productivity of this product has improved by about 27% compared to the previous generation, 1Y nm. It does not require highly expensive extreme ultraviolet (EUV) lithography, which gives it a competitive edge cost-wise.

Nový DRAM 1Z nm také podporuje rychlost přenosu dat až 3 200 Mbps, což je nejrychlejší rychlost zpracování dat v rozhraní DDR4. Společnost významně zvýšila svou energetickou účinnost a úspěšně snížila spotřebu energie přibližně o 40% ve srovnání s moduly se stejnou hustotou vyrobenou s 1Y nm 8 Gb DRAM. Zejména společnost SK hynix použila novou látku, která se nepoužila ve výrobním procesu předchozí generace, a maximalizovala tak kapacitu tohoto produktu o velikosti 1Znm. Kapacitance, množství elektrického náboje, které může kondenzátor uložit, je klíčovým prvkem provozu DRAM. Byl zaveden nový design, který zvyšuje provozní stabilitu.

„1Znm DDR4 DRAM se může pochlubit nejvyšší hustotou, rychlostí a energetickou účinností tohoto odvětví, díky čemuž je nejlepším produktem pro splnění měnících se požadavků zákazníků, kteří hledají DRAM s vysokým výkonem / vysokou hustotou,“ řekl Lee Jung-hoon, vedoucí společnosti 1Z TF společnosti Vývoj a podnikání DRAM. „SK hynix zahájí příští rok hromadnou výrobu a dodávky v plném rozsahu, aby aktivně reagoval na poptávku trhu.“

SK hynix plans to expand the 1Znm technology process to a variety of applications, such as LPDDR5, the next generation mobile DRAM, and HBM3, the fastest DRAM to be.